技術的な詳細

• 実装タイプ 18-DIP
• 巻数 Through Hole
• Q @ 周波数 4Kbit
• シェル材料 Volatile
• トルク - スクリュー 0°C ~ 70°C (TA)
• 直径 - 内部 4.5V ~ 5.5V
• 機能 - 照明 SRAM - Asynchronous
• メモリ SRAM
• 最大AC電圧 18-DIP
• 250ns
• Parallel
• 250 ns
• 1K x 4
• Not Verified