技術的な詳細
- 実装タイプ 18-DIP
- 巻数 Through Hole
- Q @ 周波数 4Kbit
- シェル材料 Volatile
- トルク - スクリュー -55°C ~ 125°C (TA)
- 直径 - 内部 4.5V ~ 5.5V
- 機能 - 照明 SRAM - Asynchronous
- メモリ SRAM
- 最大AC電圧 18-DIP
- 200ns
- Parallel
- 200 ns
- 1K x 4
- Not Verified
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