选择语言
×
中文
English
Japenese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Jon1@qkt-tech.com
+8615323847650
中文
搜索
关闭
×
产品
电阻器
配件
专用电阻器
电容器
铝电解电容器
硅电容器
内存 - 模块、卡
存储卡
传感器、变换器
传感器、传感器配件
光学传感器
集成电路 (IC)
嵌入式
界面
线性
记忆
开发板、套件、编程器
配件
评估板
制造商
资讯
询价
关于我们
联系我们
首页
记忆
记忆
EM064LXQADG13ES1R
产品型号
EM064LXQADG13ES1R
品牌
Everspin Technologies, Inc.
RoHS
Yes
描述
MRAM
分类
记忆
PDF
库存:
5500
BOM
技术细节
安装类型
8-VDFN Exposed Pad
匝数
Surface Mount
Q值 @ 频率
64Mbit
外壳材料
Non-Volatile
扭矩 - 螺丝
-40°C ~ 105°C (TA)
直径 - 内径
1.65V ~ 2V
功能 - 照明
MRAM (Magnetoresistive RAM)
电压 - VCCB
200 MHz
内存
RAM
最大交流电压
8-DFN (6x8)
SPI - Octal I/O
7 ns
8M x 8
相关产品
EM064LXQADG13ES1T
Everspin Technologies, Inc.
MRAM
库存:
0
Image
×
Jon1@qkt-tech.com
1025728509
Top