• Модель продукта MT53E384M32D2FW-046 AAT:E
  • Бренд Micron Technology
  • RoHS No
  • Описание IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA
  • Классификация Память
  • PDF
Инвентаризация:5500

Технические детали

  • Тип монтажа 200-TFBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Q @ Freq 12Gbit
  • Материал оболочки Volatile
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 105°C (TA)
  • Диаметр - Внутренний 1.06V ~ 1.17V
  • Функция - Освещение SDRAM - Mobile LPDDR4X
  • Напряжение - VCCB 1.066 GHz
  • Память DRAM
  • Максимальное переменное напряжение 200-TFBGA (10x14.5)
  • 18ns
  • Parallel
  • 3.5 ns
  • 384M x 32
  • Not Verified

Сопутствующие товары


IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

Инвентаризация: 0

Top