Технические детали

• Q @ Freq 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
• Материал оболочки Non-Volatile, Volatile
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 1.7V ~ 1.95V
• Функция - Освещение FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• Напряжение - VCCB 400 MHz
• Память FLASH, RAM
• Not Verified