- Модель продукта MT55L256L18F1F-10
- Бренд Micron Technology
- RoHS No
- Описание IC SRAM 4MBIT PAR 165FBGA
- Классификация Память
-
PDF
Инвентаризация:5764
Технические детали
- Тип монтажа 165-TBGA
- Количество витков Surface Mount
- Q @ Freq 4Mbit
- Материал оболочки Volatile
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TA)
- Диаметр - Внутренний 3.135V ~ 3.465V
- Функция - Освещение SRAM - ZBT
- Напряжение - VCCB 100 MHz
- Память SRAM
- Максимальное переменное напряжение 165-FBGA (13x15)
- Parallel
- 7.5 ns
- 256K x 18
- Not Verified