Технические детали

• Q @ Freq 18Mbit
• Материал оболочки Volatile
• Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 2.375V ~ 2.625V
• Функция - Освещение SRAM - Synchronous, SDR
• Напряжение - VCCB 200 MHz
• Память SRAM
• Parallel
• 3 ns
• 512K x 36
• Not Verified