Технические детали

• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C
• USB 85Ohm
• Лента включена 10V ~ 30V
• Программирование байтов SRAM ±4.5V ~ 20V
• 5pC
• -100dB @ 1MHz
• FPGA SRAM SPST - NO
• 1:1
• Объём SRAM данных в байтах 4Ohm (Max)
• FPGA Ячейки Ядра 250ns, 120ns
• 4pF, 4pF
• FPGA Вентили 500pA
• 4