기술적 세부 사항

• Q @ 주파수 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
• 쉘 재료 Non-Volatile, Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• 전압 - VCCB 400 MHz
• 메모리 FLASH, RAM
• Not Verified