기술적 세부 사항

• 장착 유형 260-BGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 144Mbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 100°C (TJ)
• 직경 - 내부 1.2V ~ 1.35V
• 기능 - 조명 SRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IIIe
• 전압 - VCCB 800 MHz
• 메모리 SRAM
• 최대 교류 전압 260-BGA (22x14)
• Parallel
• 4M x 36
• Not Verified