기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 턴 수 Through Hole
• Q @ 주파수 4Kbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 70°C (TA)
• 직경 - 내부 4.5V ~ 5.5V
• 기능 - 조명 EEPROM
• 전압 - VCCB 1 MHz
• 메모리 EEPROM
• 최대 교류 전압 8-DIP
• 10ms
• Microwire
• 512 x 8, 256 x 16
• Not Verified