기술적 세부 사항

• 장착 유형 119-BGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 18Mbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 70°C (TA)
• 직경 - 내부 2.375V ~ 2.625V
• 기능 - 조명 SRAM - Synchronous, SDR
• 전압 - VCCB 117 MHz
• 메모리 SRAM
• 최대 교류 전압 119-PBGA (14x22)
• Parallel
• 7.5 ns
• 1M x 18
• Not Verified