기술적 세부 사항

• Q @ 주파수 18Mbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 2.375V ~ 2.625V
• 기능 - 조명 SRAM - Synchronous, SDR
• 전압 - VCCB 167 MHz
• 메모리 SRAM
• Parallel
• 3.4 ns
• 512K x 36
• Not Verified