技術的な詳細

• Q @ 周波数 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDDR2)
• シェル材料 Non-Volatile, Volatile
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 1.7V ~ 1.95V
• 機能 - 照明 FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• 电压 - VCCB 400 MHz
• メモリ FLASH, RAM
• Not Verified