- Modèle de produit THGJFJT1E45BATP
- Marque Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Description 256GB UFS V4.0
- Classification Mémoire
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Inventaire:5602
Détails techniques
- Type de montage 153-WFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 2Tbit
- Matériau de coque Non-Volatile
- Couple de serrage - Vis -25°C ~ 85°C
- Diamètre intérieur 2.4V ~ 2.7V
- Fonction - Éclairage FLASH - NAND
- Tension - VCCB 2.32 GHz
- Mémoire FLASH
- Tension alternative maximale 153-WFBGA (11.5x13)
- UFS 4.0
- 256G x 8