- Modèle de produit THGJFGT2T85BAIU
- Marque Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Description 512GB UFS V3.1
- Classification Mémoire
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Inventaire:5567
Détails techniques
- Type de montage 153-VFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 4Tbit
- Matériau de coque Non-Volatile
- Couple de serrage - Vis -25°C ~ 85°C
- Diamètre intérieur 2.4V ~ 3.6V
- Fonction - Éclairage FLASH - NAND
- Tension - VCCB 1.16 GHz
- Mémoire FLASH
- Tension alternative maximale 153-BGA (11.5x13)
- UFS 3.1
- 512G x 8