• Modèle de produit MT53E384M32D2FW-046 AAT:E
  • Marque Micron Technology
  • RoHS No
  • Description IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA
  • Classification Mémoire
  • PDF
Inventaire:5500

Détails techniques

  • Type de montage 200-TFBGA
  • Nombre de Tours Surface Mount
  • Q @ Fréquence 12Gbit
  • Matériau de coque Volatile
  • Couple de serrage - Vis -40°C ~ 105°C (TA)
  • Diamètre intérieur 1.06V ~ 1.17V
  • Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4X
  • Tension - VCCB 1.066 GHz
  • Mémoire DRAM
  • Tension alternative maximale 200-TFBGA (10x14.5)
  • 18ns
  • Parallel
  • 3.5 ns
  • 384M x 32
  • Not Verified

Produits connexes


IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA

Inventaire: 0

Top